単結晶引き上げ装置
カテゴリ: 応用例
公開日:2017年12月26日（火）
シリコンウェハーの材料となる単結晶インゴットは、高品質の多結晶シリコンを原料にして製造されています。
ルツボ内で融解したシリコンの液面に種結晶シリコン棒をつけ、回転させながら引き上げることで、種結晶と同じ原子配列をした単結晶インゴットが完成します。
これがCZ法という製造方法の大まかな流れです。
また、単結晶引き上げ装置にはCZ法に強力な磁場をかけるMCZ法（Magnetic field applied Czochralski法）や、石英ルツボを用いないことで低酸素濃度の単結晶インゴットを成長させるFZ法（Floating Zone法）を用いる場合もあります。
このような単結晶引き上げ装置にも、モアテックの磁性流体シールは数多くの実績がございます。
お気軽に弊社営業までご相談いただければと思います。
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