CVD装置 - 株式会社モアテック

CVD装置とは薄膜形成装置の一つで、半導体の表面に10nmから1000nm程度の薄い膜を堆積する装置です。 
薄膜の原料としてさまざまな種類のガスが使用されていますが、薄膜形成にはこれらのガスに化学反応を起こさせる必要があり、その手段として「熱」「光」「プラズマ」などが利用されています。

成膜速度が速く、処理面積も大きくできる、凹凸のある表面でも満遍なく製膜できるなど、化学気相成長の多くのメリットを使用します。

低温でも精密な薄膜形成が可能で、熱によるダメージや層間での相互拡散を制御できます。熱分解しにくい原料でも実用的な堆積速度が得られて、熱分解温度の異なる原料同士を用いても、様々な組成比の薄膜が形成できます。